產(chǎn)品資料
日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置
產(chǎn)品名稱: 日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置
產(chǎn)品型號: RG-100PV
產(chǎn)品特點: 日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置玻璃基板上薄膜的四探針法半自動測量儀XY軸機構(gòu)臺平面內(nèi)多點測量配備了均勻螺距或隨機螺距設(shè)置選擇以及2-D ??/ 3-D映射軟件。
日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置 的詳細介紹
日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置
測量規(guī)格
測量目標
- 與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
- 擴散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 與化合物半導體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
- 其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）
測量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）
測量規(guī)格
測量目標
- 與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
- 擴散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 與化合物半導體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
- 其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）
測量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）
映射圖像
![半自動類型<br />（多點測量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）](https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2014/08/2D%E8%A7%92%E5%9E%8B%E3%83%9E%E3%83%83%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%B02.jpg)
![半自動類型<br />（多點測量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）](https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2014/08/3D%E8%A7%92%E5%9E%8B%E3%83%9E%E3%83%83%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%B02-640x561.jpg)
日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置
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