日本napson非接觸式薄層電阻多點(diǎn)測(cè)量儀

• 由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進(jìn)行測(cè)量而不會(huì)損壞它。
• 可編程測(cè)量模式和2-D / 3-D映射軟件
• *選項(xiàng)：安裝了額外的晶圓厚度測(cè)量探針

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

2-8英寸
（可選； 12英寸）

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm 
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。

（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

映射圖像

與超高電阻范圍兼容的非接觸式（電暈放電法）薄層電阻測(cè)量系統(tǒng)

商品名稱：CRN-100

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 超高電阻范圍：以非接觸方式測(cè)量10E + 9至10E + 15Ω/□
• 平面多點(diǎn)測(cè)量功能
• 2D / 3D映射圖像顯示
• Windows 7軟件
• 測(cè)量數(shù)據(jù)可以CSV文件格式輸出
• 由于是非接觸型，因此可以不受接觸電阻的影響進(jìn)行測(cè)量。

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

*通常，可以測(cè)量本設(shè)備測(cè)量范圍內(nèi)的任何樣品。請(qǐng)聯(lián)系我們。

?超高電阻薄膜樣品（a-Si，IGZO等）

?半導(dǎo)體材料接近絕緣

?導(dǎo)電橡膠

這樣

測(cè)量尺寸

尺寸：大300 x 400毫米

厚度：大2毫米

*我們可以自定義您的要求，例如尺寸支持。請(qǐng)聯(lián)系我們。

測(cè)量范圍

10E + 9?10E + 15Ω/□

傳單

*單擊下面的按鈕下載該產(chǎn)品的傳單。

映射圖像

產(chǎn)品信息

• 接觸電阻測(cè)量儀
• 非接觸電阻測(cè)量
  • 手動(dòng)型（1點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)）
  • 半自動(dòng)類型（多點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）
  • 全自動(dòng)型（全自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)）
  • 串聯(lián)型（嵌入式測(cè)量模塊）
• 壽命測(cè)量
• PN判斷
• 傳播阻力
• 4探頭探頭
• 平面度/厚度測(cè)量
• 電阻參考晶圓
• 線性刻度
• 膜厚測(cè)量系統(tǒng)（非接觸式，光學(xué)式）

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  技術(shù)介紹

  Napson電阻測(cè)量有兩種類型：接觸型和非接觸型。我們將介紹每種測(cè)量方法。

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  海外網(wǎng)絡(luò)

  介紹Napson的海外網(wǎng)絡(luò)。我們還為在海外工廠的交付和安裝提供全面的支持。

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  售后服務(wù)

  我們加強(qiáng)了售后服務(wù)，因此即使在接觸式交付后也可以穩(wěn)定地使用我們的產(chǎn)品。

 日本napson非接觸式薄層電阻多點(diǎn)測(cè)量儀